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      MOS(场效应管)/IRF740PBF 管装
      商品型号:IRF740PBF PDF数据手册)

      起售量(pcs)价格
      1~9件¥4.17/件 (折合1管208.5元)
      10~29件¥2.84/件 (折合1管142元)
      30~99件¥2.59/件 (折合1管129.5元)
      100~499件¥2.37/件 (折合1管118.5元)
      500~999件¥2.23/件 (折合1管111.5元)
      1000 件以上¥2.14/件 (折合1管107元)
      已售出: 7323件 (1管有50件) 货期:2-4天
      数量:
      X 0 = 0.0 库存数量:3682 件(可订货)

      • 商品名称:IRF740PBF 管装
      • 商品品牌:IR
      • 商品类别:MOS(场效应管)
      • 二级分类:MOS(场效应管)
      • 商品型号:

        IRF740PBF

      • 封装规格:TO-220(TO-220-3)
      • 商品编号:B1061459
      • 商品重量:0.000100kg
      IRF740PBF中文资料
      <a href = "/items/irf740pbf-cn-1-id-12086.html">IRF740PBF</a>中文资料第1页精选内容: HEXFET? 功率MOSFET PD - 95724升第五代技术升超低导通电阻升 N通道MOSFET升表面贴装升可用卷带包装升动态DV / DT额定值升快速切换升无铅描述 INTERNATIONAL RECTIFIER的第五代HEXFET利用先进的加工技术来实现尽可能降低每个硅片面积的导通电阻.这个好处,结合快速切换速度和 HEXFET POWER的坚固耐用的器件设计 MOSFET是众所周知的,为设计者提供用一个非常有效的设备广泛使用各种应用程序. SO-8已经通过定制进行了修改用于增强热特性的引线框架多芯片功能使其成为各种应用的理想选择 POWERAPPLICATIONS. WITHTHESEIMPROVEMENTS,多设备可以在应用程序中显着使用减少电路板空间.该包是专为蒸汽相,红外线或波峰焊技术.功耗大于0.8W是可能的一个典型的PCB安装应用. IRF7401PBF SO-8 V DSS = 20V R DS(ON) =0.022Ω参数最大.单位 I D @ T A = 25°C 10秒 脉冲漏电流,V GS @ 4.5V 10 I D @ T A = 25°C 漏极连续电流,V GS @ 4.5V 8.7 I D @ T A = 70°C 漏极连续电流,V GS @ 4.5V 7 我是 DM脉冲漏电流 35 P D @T A = 25°C功耗 2.5 W ^线性降额因子 0.02厕所 V GS栅源电压 ±12 V的DV / DT峰值二极管恢复DV / DT, 5 V / NS T J, T STG结温和存储温度范围 -55到+ 150 C绝对最大额定值一个顶视图 8 1 2 3 4五 6 7 D D D D G小号一个小号小号一个 04年8月10日热阻额定值参数典型.最大.单位 RθJA最大结点到环境“ --- 50 °C / W
      机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

      *IRF740PBF中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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