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      集成电路/LF356
      商品型号:LF356

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      品牌:ST(意法半导体)
      封装:-
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      • 商品名称:LF356
      • 商品品牌:ST(意法半导体)
      • 商品类别:集成电路
      • 二级分类:集成电路
      • 商品型号:

        LF356

      • 封装规格:-
      • 商品编号:STM181400122
      • 商品重量:0.000100kg
      LF356中文资料
      LF356中文资料第3页精选内容:电气特性 LF155,LF156,LF157 -55 C ≤T AMB≤ + 125 O C ±5V≤V CC≤±20V LF255,LF256,LF257 -40 C ≤T AMB≤ + 105 O C ±5V≤V CC≤±20V (除非另有规定)符号参数 LF155 - LF156 - LF157 LF255 - LF256 - LF257单元闵.典型.最大. V IO 输入失调电压(R S = 50 Ω) T AMB = 25 C T MIN. ≤T AMB≤T MAX. LF155,LF156,LF157 LF255,LF256,LF257 35 7 6.2毫伏 我 IO输入失调电流 - (注3) T AMB = 25 C T MIN. ≤T AMB≤T MAX. LF155,LF156,LF157 LF255,LF256,LF257 320 20 1 PA的 NA的 NA的 我 IB输入偏置电流 - (注3) T AMB = 25 C T MIN. ≤T AMB≤T MAX. LF155,LF156,LF157 LF255,LF256,LF257 20 100 50五 PA的 NA的 NA的 一个 VD 大信号电压增益(R L = 2K Ω,V O =±10V,V CC =±15V) T AMB = 25 C T MIN. ≤T AMB≤T MAX. 50 25 200 V /毫伏 SVR电源电压抑制比 - (注4) 85 100 D B 我 CC 电源电流(V CC = ±15V,空载) T AMB = 25 C LF155,LF255 LF156,LF256 LF157,LF257 2五五 4 7 7嘛 DV IO 输入失调电压漂移(R S = 50 Ω)5 μV/ O C DV IO / V IO 用V IO 调整 平均温度系数的变化 (R S = 50 Ω) - (注2) 0.5 μV/ O C V ICM 输入共模电压范围(V CC = ±15V,T AMB = 25 ℃) ±11 + 15.1 -12 V CMR共模抑制比 85 100 D B ±V OPP 输出电压摆幅(V CC = ±15V) R L = 10K Ω R L = 2K Ω ±12 ±10 ±13 ±12 V英镑 增益带宽乘积(V CC = ±15V,T AMB = 25 ℃) LF155,LF255 LF156,LF256 LF157,
      LF356关联型号
      机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

      *LF356中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

      共10页,到第
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